Se trata de una memoria de tipo volátil, es decir, que se borra cuando apagamos el ordenador, aunque también hay memorias RAM no volátiles (como por ejemplo las memorias de tipo flash.
Los datos almacenados en la memoria RAM no sólo se borran cuando apagamos el ordenador, sino que tambien deben eliminarse de esta cuando dejamos de utilizarlos (por ejemplo, cuando cerramos el fichero que contiene estos datos).
Estas memorias tienen unos tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más rápido que el disco duro, por lo que se han convertido en un factor determinante para la velocidad de un ordenador. Esto quiere decir que, dentro de unos límites, un ordenador irá más rápido cuanta mayor sea la cantidad de memoria RAM que tenga instalada, expresada en MegaBytes o GigaBytes.
Los chips de memoria suelen ir conectados a unas plaquitas denominadas módulos, pero no siempre esto ha sido así, ya que hasta los ordenadores del tipo 8086 los chips de memoria RAM estaban soldados directamente a la placa base.
Con los ordenadores del tipo 80386 aparecen las primeras memorias en módulos, conectados a la placa base mediante zócalos, normalmente denominados bancos de memoria, y con la posibilidad de ampliarla (esto, con los ordenadores anteriores, era prácticamente imposible).
Los primeros módulos utilizados fueron los denominados SIMM (Single In-line Memory Module). Estos módulos tenían los contactos en una sola de sus caras y podían ser de 30 contactos (los primeros), que posteriormente pasaron a ser de 72 contactos.
Tiempo de una memoria ram:
TIEMPO DE LATENCIA O REFRESCO: Se denominan latencias de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta última. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10-9 s) .
Resulta de particular interés en el mundo del overclocking el poder ajustar estos valores de manera de obtener el menor tiempo de acceso posible.
Tipos de latencias
Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes son:
CAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o celda.RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un tablero.
Tiempo de acceso: La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeños capacitadores que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lógico del capacitador es igual a 1; en el caso contrario, es igual a 0, lo que implica que cada capacitador representa un bit de memoria.
Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el término exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina ciclo de actualización. Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualización de unos 15 nanosegundos (ns).
Buffer de datos: Un buffer (o búfer) en informática es un espacio de memoria, en el que se almacenan datos para evitar que el programa o recurso que los requiere, ya sea hardware o software, se quede en algún momento sin datos.
Volátil de acceso aleatorio (RAM):
Se dice que las memorias RAM son volátiles por que la información no es cargada de forma permanente si no que al momento de encender el pc esta carga la información que va a ser utilizada en el momento, y al momento de apagarlo esta descarga la información para que de esta forma no se congestione su funcionamiento.
Las llaman de acceso aleatorio por que los circuitos integrados que llevan con sigo no tienen un orden de cargar la información.
Las llaman de acceso aleatorio por que los circuitos integrados que llevan con sigo no tienen un orden de cargar la información.
Módulos de memoria RAM:
SIMMs y DIMMs
Se trata de la forma en que se juntan los chips de memoria, del tipo que sean, para conectarse a la placa base del ordenador. Son unas plaquitas alargadas con conectores en un extremo; al conjunto se le llama módulo.
El número de conectores depende del bus de datos del microprocesador, que más que un autobús es la carretera por la que van los datos; el número de carriles de dicha carretera representaría el número de bits de información que puede manejar cada vez.
SIMMs: Single In-line Memory Module, con 30 ó 72 contactos. Los de 30 contactos pueden manejar 8 bits cada vez, por lo que en un 386 ó 486, que tiene un bus de datos de 32 bits, necesitamos usarlos de 4 en 4 módulos Los SIMMs de 72 contactos, más modernos, manejan 32 bits, por lo que se usan de 1 en 1 en los 486; en los Pentium se haría de 2 en 2 módulos (iguales), porque el bus de datos de los Pentium es el doble de grande (64 bits).
Y podríamos añadir los módulos SIP, que eran parecidos a los SIMM pero con frágiles patitas soldadas y que no se usan desde hace bastantes años, ocuando toda o parte de la memoria viene soldada en la placa (caso de algunos ordenadores de marca).
Tecnologia de una memoria ram: Existen muchas tecnologías de memoria RAM, pero pueden resumirse en dos grandes grupos: Memorias RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM). Ambas pueden escribirse y leerse repetidamente, y ambos tipos pierden su contenido cuando se apaga el sistema. Sin embargo, las dinámicas tienen la característica adicional de que deben ser "refrescadas" constantemente. Esto significa que una vez escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por lo que debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea el contenido y vuelva a escribirlo. Este proceso se repite constante y automáticamente durante el funcionamiento del ordenador. Por contra, las estáticas conservan su contenido indefinidamente (mientras se mantenga la alimentación de energía), por lo que solo deben ser reescritas nuevamente cuando se desee cambiar su contenido.
sincronas:
Las sincronas están entre los tres tipos mas comunes de maquinas eléctricas las maquinas sincronas son maquinas de corriente alterna que se caracterizan por tener una velocidad dependiente directamente de la frecuencia de la red. Estas pueden der mono fásicas o trifásicas, especialmente en aplicaciones de potencia; se llaman así porque trabajan a velocidad constante y frecuencia constante en condiciones de operación estacionarias.
asíncronas:
También son conocidas como maquinas de inducción. Su estator esta formado por un paquete de chapas aisladas montado en una carcasa con una serie de ranuras en su periferia donde se encuentran los hilos conductores que forman el bobinado del estator, formando 3 bobinas que corresponden a cada una de las tres fases.
modulo de memoria:
SIMM: (modulo de memoria en line simple) Pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Vinieron a sustituir los SIP (Encapsulado en línea simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la placa base de la computadora y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM.
DIMM: (modulo de memoria en línea Doble) hace referencia a un sistema de comunicación con la placa base, que se gestiona en grupos de datos de 64bits en contraposición con los módulos SIMM, que usan una vía simple y solo transfieren 32bits de datos cada vez. Se fabrican con 168 contactos en sus conectores de anclaje con la placa base; también suele ser habitual disponer de cuatro o mas conectores, pudiendo utilizarse uno o varios de ellos, mientras que los módulos SIMM deben ir por parejas además de tener anclajes incompatibles que son de 30 o 72 contactos.
RIMM: son los módulos de memoria, sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tiene el mismo tamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD.
tecnologías:
Conjunto de conocimientos técnicos, ordenados científicamente, que permiten diseñar y crear bienes o servicios que facilitan la adaptación al medio y satisfacen las necesidades de las personas. Aunque hay muchas tecnologías muy diferentes entre si, es frecuente usar el término en singular para referirse a una de ellas o al conjunto de todas. La actividad tecnológica influye en el progreso social y económico, pero también ha producido el deterioro de nuestro entorno (biosfera).
memorias asíncronas:
DRAM: es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto periodo, en un ciclo de refresco.
FPM: Memoria en modo paginado, el diseño mas común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna.
Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas.
EDO-RAM: Se trata de una memoria más rápida, ya que incorpora un cache interno que agiliza la transferencia entre el micro y la RAM.
BEDO-RAM:
Es una evolución de la EDO-RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP.
memorias sincronas:
SDRAM: para superar algunos de los problemas latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM estándar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia mas bajos y funcionamientos de 200MHz.
PC66: es DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 66,66MHz, en un bus de 64 bits, a una tesion de 3,3V. La PC66 esta disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM.
P CC100: es un estándar para el equipo interno removible de memoria de acceso aleatorio, que se define por el joint electron dispositivo consejo de ingeniería. PC100 consulta DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3.3V. PC100 esta disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM.
PC133: consulta DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 133MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3V. PC133 esta disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma.
DDR SDRAM: significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAMM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por 2 canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj.
PC1600: Es una clase de memoria, los circuitos integrados utilizados en los ordenadores. Ha sido reemplazada por SDRAM DDR2 y DDR3 SDRAM, ninguna de las cuales están o hacia adelante o hacia atrás.
PC2700: Funciona a 2.5V trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 GB / s.
PC3200: Funciona a 2.5V trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2GB/s.
PC4200: Trabaja a 533, MHz es decir, 266MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2GB/s.
PC4800: Trabaja a 600MHz, es decir, 300MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,8GB/s.
PC5300: Trabaja a 667MHz es decir, 333Mhz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 5.3GB/s.
RDRAM: La tecnología RDRAM de rambus ofrece un diseño de interfase chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápida que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura esta basada en los requerimientos eléctricos del canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz.
XDR DRAM: Es un alto rendimiento de memoria RAM interfaz y sucesor del Rambus RDRAM. XDR fue diseñado paras ser eficaz en, gran ancho de banda de los consumidores en sistemas pequeños, rendimiento de memoria aplicaciones de alta y de gama alta GPU. Elimina los problemas de latencia inusualmente alta que plagaron las primeras formas de RDRAM.
XDR2 DRAM: es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinamico que se ofrece por Rambus. Se anuncio el 7 de julio de 2005 y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM. Esta se destina para el uso en gama alta de tarjetas graficas y equipos de red.
DRDRAM: Una memoria RAM de la arquitectura totalmente nueva, con control del bus y una nueva via entre los dispositivos de memoria. Un solo canal Rambus tiene el potencial de llegar a los 500Mbps en modo de ráfaga, un 20 – aumento de veces mas memoria RAM.
SLDRAM: la SLDRAM es una DRAM fruto de un desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia mas cercana de Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un grupo de 12 compañías fabricantes de memoria. La SLDRAM es una extensión más rápida y mejorada de la arquitectura SDRAM que amplia el actual diseño de 4 bancos a 16 bancos. El ancho de banda de la SLDRAM es de los más altos 3.2GB/s y su costo no seria tan elevado.
SRAM: memoria estática de acceso aleatoria. Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tiene un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nano segundos. Estas memorias no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede con las RAM dinamicas, pero usan mucha mas energía y espacio.
EDRAM: significa “incrustado DRAM”. Un condensador con sede en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma como un ASIC o procesador. El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la EDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa. El EDRAM requiere pasos adicionales en comparación con el proceso de fab SRAM integrado, lo que eleva los costos, pero el ahorro área de 3X de las compensaciones de memora EDRAM el coste del proceso cuando una cantidad significativa de memoria se utiliza en el diseño.
ESDRAM: este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2GB/s.
SGRAMA: ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM para las tarjetas gráficas. Es el tipo de memoria más popular en las nuevas tarjetas gráficas aceleradoras 3D.
WRAM: permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo, como en la VRAM, pero esta optimizada para la presentación de un gran numero de colores y para altas resoluciones de pantalla. Es un poco más económica que la anterior.
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